Descobrir a diferença entre chapeamento a vácuo e chapeamento de água

Descobrir a diferença entre chapeamento a vácuo e chapeamento de água

Se alguém lhe perguntar, o que é eletrodeposição? O que você diria? Alguns dizem que o chapeamento de água, alguns dizem chapeamento de vácuo. Qual é certo? De fato, "galvanoplastia" significa coisas diferentes em diferentes indústrias. Por exemplo, na atual indústria de telefonia móvel, há poucas aplicações de eletrodeposição de água. Na mente de muitas pessoas, galvanoplastia geralmente se refere a chapeamento a vácuo, enquanto na indústria de louças sanitárias, a galvanoplastia com água é amplamente aplicada, é claro, galvanoplastia comum refere-se à eletrodeposição de água. Tanto a galvanização de água como a galvanização a vácuo pertencem ao filme de galvanoplastia. Vamos começar a partir da classificação do filme de revestimento e ver a diferença entre os diferentes tipos de revestimento.

Os produtos de galvanização são classificados como segue de acordo com o método de conformação:

1. Método da fase sólida: ---> mudança química;

2. Método da fase líquida: ---> alteração química

3. Método meteorológico: -> alterações químicas e físicas

Os classificados da seguinte forma:

Os métodos comuns de revestimento incluem: revestimento com água, anodização, evaporação a vácuo, respingos a vácuo e revestimento iônico.

Chapeamento de água:

Palavras-chave: dissolução anódica, fixação de cátodo, reação eletroquímica

O método de eletrodeposição de água é usado principalmente para criar alto efeito refletor e aumentar a camada de adesão, etc. Suas vantagens são grande área de revestimento, baixo custo, alta toxicidade do eletrólito e grande poluição industrial.

Linha de revestimento de água

Processo de oxidação anódica :

Palavras-chave: filme de óxido metálico, reação eletroquímica

A oxidação anódica também pode ser feita em Ta2O2, TiO2, ZrO2, Nb2O5, HfO2, WO3, etc., usada principalmente como filme protetor ou filme decorativo colorido.

Produto anodizado

A evaporação a vácuo também é chamada de evaporação térmica

Palavras-chave do processo: evaporação dissolvida a alta temperatura, deposição após cobertura de filme

De acordo com os diferentes métodos de aquecimento de materiais de película, a evaporação a vácuo pode ser dividida em tipo de aquecimento indireto e tipo de aquecimento direto.

1. Tipo de aquecimento indireto: somente para a fonte de evaporação, fazendo com que o material do filme evapore indiretamente devido ao calor;

2. Tipo de aquecimento direto: use partículas de alta energia (feixe de elétrons, plasma ou laser) ou alta freqüência para aquecer diretamente o material do filme na fonte de evaporação e evaporar; *

Para evitar a evaporação da fonte (recipiente) junto com o material do filme, o ponto de fusão do material de origem deve ser maior do que o ponto de ebulição do material do filme.

Princípio da Evaporação

Resistência ao aquecimento e evaporação

O material do filme é indiretamente aquecido pela energia térmica gerada pela corrente elétrica passando pela resistência. O dispositivo é o seguinte:

Resistência ao aquecimento e evaporação

Desvantagens do aquecimento por resistência:

1. É necessário aquecer a fonte de evaporação antes de transferir calor para o material do filme. A fonte de evaporação é fácil de agir sobre o material ou levar as impurezas;

2. A temperatura de aquecimento da fonte de evaporação é limitada, e a maior parte do óxido em alto ponto de fusão não pode ser derretida e evaporada;

3. Velocidade de evaporação limitada;

4. Se o material de revestimento for um composto, ele pode ser decomposto;

5. O filme não é duro, com baixa densidade e baixa aderência.

Revestimento de pulverização

Palavras-chave: gás inerte ionizado, bombardeamento de alvo, peeling de alvo, deposição, resfriamento, formação de filme

Princípio da máquina de revestimento de pulverização catódica é cavidade de ar de bombeamento em estado de vácuo, diretamente pelo material de membrana (alvo) como eletrodos, usando eletrodos ver eletricidade 5 kv ~ 15 kv bombardeio de plasma de material de destino, ventilação com gás ao mesmo tempo, ionização de gás, partículas em movimento dentro do plasma, material alvo de impacto iônico e os átomos de material a partir do qual depositado na superfície do substrato, resfriando o condensado em um filme.

Deposição por pulverização Magnetron

A estrutura do eletrodo é melhorada com base em CC ou pulverização de freqüência de rádio, isto é, um ímã permanente é colocado no lado interno do cátodo, e o campo magnético é perpendicular à direção do campo elétrico na área escura, então de modo a restringir o funcionamento de partículas carregadas com campo magnético. Este método de pulverização é chamado de pulverização catódica .

Diagrama esquemático sputtering Magnetron

Como a força do campo magnético é perpendicular à direção dos elétrons, a força centrípeta da ciclogênese eletrônica será formada. Neste momento, a probabilidade de colisão entre espécies neutras é aumentada, e filmes finos podem ser feitos a baixa pressão.

Além da baixa pressão, as outras duas vantagens da pulverização catódica são a alta velocidade e a baixa temperatura.

Mas sputtering magnetron também tem alguns problemas, tais como eletrodo de controle magnético eletrodo de controle magnético planar, o material alvo central e periférico não é perpendicular ao componente do campo magnético da usina mais e mais pequeno, ou seja, paralelo à superfície alvo do campo magnético componente é pequeno, em uma área circular na superfície do material-alvo por sputtering excepcionalmente rápido, enquanto a central e borda sputtering menos, por isso vai ser um vale erosivo em forma de w, reduzir a taxa de utilização de material-alvo, e pode afetar a uniformidade do filme.

Princípio de Ion Plating

Chapeamento de íon

Palavras-chave: descarga de gás a vácuo, alvo de dissociação, material de base de bombardeio

O principal princípio é dissociar o material do filme em um estado iônico usando o fenômeno de descarga de gás e, em seguida, depositá-lo no substrato.

O sistema básico de galvanoplastia para revestimento iônico é o sistema PVD, que apenas adiciona gases reativos para fazê-lo reagir com o material do filme após a evaporação e, em seguida, deposita-se no substrato para formar compostos. Portanto, a composição do revestimento de filme é diferente do material de filme original, e é um composto do material de base.

Ion chapeamento consiste basicamente em três etapas:

1. Transformação de átomos sólidos em átomos gasosos: várias fontes de evaporação e vários mecanismos de pulverização podem ser evaporados a vácuo para atingir este objetivo;

2. Transforme átomos gasosos em estados iônicos para aumentar o grau de ionização da matéria-prima (geralmente até 1) . Vários elementos de íons podem ser usados para transferir energia para os átomos de matéria-prima para atingir o grau de ionização no início;

3. Aumentar a energia do material iônico para melhorar a qualidade do filme: a capacidade de acelerar os íons pode ser obtida basicamente adicionando um viés negativo apropriado .

As características da ionização são as seguintes:

1. Ion chapeamento pode ser realizado a uma temperatura mais baixa de 600 graus;

2. boa aderência;

3. Boa energia atômica difractada - carregada atinge toda a superfície básica e deposita o revestimento;

4. A velocidade de deposição é rápida, atingindo 1 ~ 5um, enquanto a velocidade de sputtering da placa secundária é de apenas 0.01 ~ 1.0um / min;

5. A propriedade de processamento e a seletividade de materiais de filme fino são largos. Além de metais, cerâmica, vidro e plásticos podem ser processados.

PVD três categorias de comparação de características técnicas

Acima é o simples pentear do processo de revestimento comum. Se você quiser compartilhar conteúdos mais interessantes, você pode deixar uma mensagem no final do artigo.

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