Deposição por pulverização catódica PVD

Deposição por pulverização catódica

Princípio: Em uma câmara de vácuo, um gás inerte (como Ar) é ionizado por um campo elétrico de alta-tensão para gerar plasma. Os íons Ar⁺ carregados positivamente, sob a aceleração do campo elétrico, bombardeiam a superfície do material alvo. Através da transferência de momento, os átomos do material alvo são "pulverizados" (em estado gasoso) e depois depositados na superfície do substrato para formar um filme. Vantagens principais: Forte adesão entre o filme e o substrato, alta uniformidade de composição (próxima à composição do material alvo) e uma ampla gama de materiais depositáveis ​​(metais, ligas, cerâmicas, compostos, etc.). Tecnologias convencionais Magnetron Sputtering (magnetron Sputtering) é a tecnologia de sputtering mais amplamente utilizada em semicondutores. Ao confinar a trajetória do movimento dos elétrons através de um campo magnético, prolonga o tempo de colisão entre os elétrons e o gás, aumenta a densidade do plasma, aumentando assim a eficiência da pulverização catódica e a taxa de deposição do filme fino, ao mesmo tempo que reduz o aumento da temperatura do substrato. Adequado para substratos-de semicondutores sensíveis ao calor (como wafers de silício).

A empresa IKS PVD oferece máquinas de revestimento decorativo, máquinas de revestimento de ferramentas, máquinas de revestimento DLC, máquinas de revestimento óptico e linhas de revestimento a vácuo PVD, com-projetos prontos para uso disponíveis. Contate-nos agora, e-mail-: iks.pvd@foxmail.com