Deposição química de vapor de plasma de frequência muito alta (VHF-PECVD)

Quando filmes finos são preparados pela tecnologia RF-PECVD, a fim de alcançar a deposição de baixa temperatura, o silano diluído deve ser usado como gás de reação, de modo que a taxa de deposição seja limitada. A tecnologia Vhf-pecvd é amplamente utilizada em aplicações práticas porque o plasma excitado por VHF tem menor temperatura eletrônica e maior densidade do que o plasma gerado por radiofrequência convencional [2], o que pode melhorar muito a taxa de deposição do filme.

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